SEMIX603GB12E4SICP - Модулі IGBT

SEMIX603GB12E4SICP
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SEMIX603GB12E4SICP 27895300
Опис

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Топологія півмісток IGBT
термістор
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 600А
Корпус SEMiX® 3p
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Електричний монтаж Press-Fit
пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 1,2кА
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat