SEMIX302GB12E4S - Модулі IGBT

SEMIX302GB12E4S
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SEMIX302GB12E4S 27890120
Опис

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Топологія півмісток IGBT
термістор
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 300А
Корпус SEMIX2S
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Електричний монтаж Press-Fit
пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 900А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat