SEMIX151GD12E4S - Модулі IGBT

SEMIX151GD12E4S
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SEMIX151GD12E4S 27890200
Опис

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 150А

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Корпус SEMIX®13
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Механічний монтаж пригвинчуваний
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора 150А
Струм колектора в імпульсі 450А
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Топологія 3-фазний міст IGBT
термістор
Електричний монтаж Press-Fit
пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat