RRR030P03HZGTL - Транзистори з каналом P SMD

RRR030P03HZGTL
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -3А
Струм стоку в імпульсі -12А
Потужність розсіювання 1Вт
Корпус SOT346
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 75мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 5,2нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat