RGT16BM65DTL - Транзистори IGBT SMD

RGT16BM65DTL
Опис

Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора IGBT
Напруги колектор-емітер 650В
Струм колектора
Потужність розсіювання 47Вт
Корпус TO252
Напруга затвор - емітер ±30В
Струм колектора в імпульсі 24А
Монтаж SMD
Заряд затвора 21нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Час ввімкнення 27нс
Час вимкнення 170нс
Властивості напівпровідникових елементів integrated anti-parallel diode
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat