PSMN1R0-30YLC.115 - Транзистори з каналом N SMD

PSMN1R0-30YLC.115
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 272Вт

Характеристики
Виробник NEXPERIA
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 100А
Потужність розсіювання 272Вт
Корпус LFPAK56
PowerSO8
SOT669
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,15мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 70нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat