NVTJD4001NT1G - Транзистори багатоканальні

NVTJD4001NT1G
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,18А; 0,272Вт

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 0,18А
Потужність розсіювання 0,272Вт
Корпус SC70-6
SC88
SOT363
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,5Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat