NVA4001NT1G - Транзистори з каналом N SMD

NVA4001NT1G
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 238mA; Idm: 0.714A; 300mW; SC75

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 0,238А
Струм стоку в імпульсі 0,714А
Потужність розсіювання 0,3Вт
Корпус SC75
Напруга затвор-джерело ±10В
Опір в стані провідності 3Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat