NTZD3155CT1G - Транзистори багатоканальні

NTZD3155CT1G
Опис

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N/P-MOSFET
Поляризація польовий
Вид транзистора додаткова пара
Напруга сток-джерело 20/-20В
Струм стока 0,39/-0,31А
Потужність розсіювання 0,25Вт
Корпус SOT563F
Напруга затвор-джерело ±6В
Опір в стані провідності 400/500мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 1,5/1,7нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat