NTS2101PT1G - Транзистори з каналом P SMD

NTS2101PT1G
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -8В
Струм стока -1,1А
Потужність розсіювання 0,29Вт
Корпус SC70
SOT323
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 0,1Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat