NTA4153NT1G - Транзистори з каналом N SMD

NTA4153NT1G
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75; ESD

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 0,915А
Потужність розсіювання 0,3Вт
Корпус SC75
Напруга затвор-джерело ±6В
Опір в стані провідності 0,95Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Заряд затвора 1,82нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat