NLP102418B200TQLIT - Пристрої SRAM, паралельні

NLP102418B200TQLIT
Опис

IC: пам'ять SRAM; 18МбSRAM; 1Mx18бит; 3,3В; 3нс; QFP100; -40÷85°C

Характеристики
Виробник ISSI
Тип інтегральної мікросхеми пам'ять SRAM
Вид пам’яті SRAM
Пам'ять 18Мб SRAM
Структура пам'яті 1Mx18бит
Робоча напруга 3,3В
Час доступу 3нс
Корпус QFP100
Тип інтерфейсу паралельний
Монтаж SMD
Робоча температура -40...85°C
Вид упаковки cтрічка
ролик
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat