NDT451AN - Транзистори з каналом N SMD

NDT451AN
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7,2А; 3Вт; SOT223

Характеристики
Виробник ONSEMI
Монтаж SMD
Корпус SOT223
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 30нКл
Опір в стані провідності 90мОм
Струм стока 7,2А
Потужність розсіювання 3Вт
Напруга сток-джерело 30В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Тип транзистора N-MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat