NCP51561BBDWR2G - Драйвери MOSFET/IGBT

NCP51561BBDWR2G
Опис

IC: driver; high-side,low-side,gate driver; SO16; -9÷4.5A; Ch: 2

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-side
low-side
контролер затворів
Корпус SO16
Вихідний струм -9...4,5А
Кількість каналів 2
Напруга живлення 3...5В DC
9,5...30В DC
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Час наростання імпульсу 19нс
Час спадання імпульсу 19нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat