NCP3420DR2G - Драйвери MOSFET/IGBT

NCP3420DR2G
Опис

IC: driver; місток H; high-side,low-side,контролер затворів; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Вид об'єднаної схеми high-side
low-side
контролер затворів
Топологія місток H
Монтаж SMD
Робоча температура 0...85°C
Напруга живлення 4,6...13,2В DC
Корпус SO8
Тип інтегральної мікросхеми driver
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat