NCP1392DDR2G - Драйвери MOSFET/IGBT

NCP1392DDR2G
Опис

IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -1A÷500mA; 8÷17.5VDC; 600V

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія півмісток MOSFET
Корпус SO8
Вихідний струм -1...0,5А
Напруга живлення 8...17,5В DC
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Час наростання імпульсу 40нс
Час спадання імпульсу 20нс
клас напруги 600В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat