MMBFJ112 - Транзистори з каналом N SMD

MMBFJ112
Опис

Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-JFET
Поляризація польовий
Струм стока 5мА
Потужність розсіювання 0,35Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело -35В
Опір в стані провідності 50Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Струм вентиля 50мА
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat