MMBF170 - Транзистори з каналом N SMD

MMBF170
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга затвор-джерело ±20В
Струм стока 0,5А
Опір в стані провідності 1,2Ом
Потужність розсіювання 0,3Вт
Напруга сток-джерело 60В
Корпус SOT23
Вид упаковки cтрічка
ролик
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat