MC33153DR2G - Драйвери MOSFET/IGBT

MC33153DR2G
Опис

IC: driver; контролер затворів IGBT; SO8; -2÷1А; 2÷13,9В; Ch: 1

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми контролер затворів IGBT
Корпус SO8
Вихідний струм -2...1А
Вихідна напруга 2...13,9В
Кількість каналів 1
Напруга живлення 11...20В DC
Монтаж SMD
Робоча температура -40...105°C
Час наростання імпульсу 55нс
Час спадання імпульсу 55нс
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид виходу що інвертує
Захист від короткого замикання SCP
макс. струму OCP
мінімальна напруга UVP
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat