MC33153DR2G - Драйвери MOSFET/IGBT

MC33153DR2G
Опис

IC: driver; контролер затворів IGBT; SO8; -2÷1А; 2÷13,9В; Ch: 1

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми контролер затворів IGBT
Корпус SO8
Вихідний струм -2...1А
Кількість каналів 1
Монтаж SMD
Робоча температура -40...105°C
Вид упаковки cтрічка
ролик
Напруга живлення 11...20В DC
Вид виходу що інвертує
Захист від короткого замикання SCP
макс. струму OCP
мінімальна напруга UVP
Час спадання імпульсу 55нс
Час наростання імпульсу 55нс
Вихідна напруга 2...13,9В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat