LM5110-3M/NOPB - Драйвери MOSFET/IGBT

LM5110-3M/NOPB
Опис

IC: driver; low-side,контролер затворів MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми low-side
контролер затворів MOSFET
Вихідний струм -5...3А
Кількість каналів 2
Монтаж SMD
Корпус SO8
Робоча температура -40...125°C
Напруга живлення 3,5...14В DC
Захист мінімальна напруга UVP
Час наростання імпульсу 25нс
Час спадання імпульсу 25нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat