LM5109MA/NOPB - Драйвери MOSFET/IGBT

LM5109MA/NOPB
Опис

IC: driver; місток H; high-/low-side,контролер затворів MOSFET

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Корпус SO8
Тип інтегральної мікросхеми driver
Кількість каналів 2
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Монтаж SMD
Захист мінімальна напруга UVP
Робоча температура -40...125°C
Вихідний струм -1...1А
Час спадання імпульсу 15нс
Час наростання імпульсу 15нс
Напруга живлення 8...14В DC
Топологія місток H
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat