LM5109BMAX/NOPB - Драйвери MOSFET/IGBT

LM5109BMAX/NOPB
Опис

IC: driver; H-bridge; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія місток H
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Корпус SO8
Вихідний струм -1...1А
Кількість каналів 2
Напруга живлення 8...14В DC
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Час наростання імпульсу 15нс
Час спадання імпульсу 15нс
Захист мінімальна напруга UVP
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat