LM5107MA/NOPB - Драйвери MOSFET/IGBT

LM5107MA/NOPB
Опис

IC: driver; місток H; high-/low-side,контролер затворів MOSFET

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Робоча температура -40...125°C
Тип інтегральної мікросхеми driver
Монтаж SMD
Кількість каналів 2
Захист мінімальна напруга UVP
Топологія місток H
Вихідний струм -1,4...1,3А
Час наростання імпульсу 15нс
Час спадання імпульсу 15нс
Напруга живлення 8...14В DC
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Корпус SO8
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat