LM5106MM/NOPB - Драйвери MOSFET/IGBT

LM5106MM/NOPB
Опис

IC: driver; місток H; high-/low-side,контролер затворів MOSFET

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Корпус VSSOP10
Вихідний струм -1,8...1,2А
Кількість каналів 2
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Час наростання імпульсу 15нс
Час спадання імпульсу 10нс
Напруга живлення 8...14В DC
Захист мінімальна напруга UVP
Топологія місток H
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat