LM5104M/NOPB - Драйвери MOSFET/IGBT

LM5104M/NOPB
Опис

IC: driver; місток H; high-/low-side,контролер затворів MOSFET

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Вихідний струм -1,8...1,6А
Кількість каналів 2
Монтаж SMD
Корпус SO8
Напруга живлення 9...14В DC
Робоча температура -40...125°C
Захист мінімальна напруга UVP
Час наростання імпульсу 600нс
Час спадання імпульсу 600нс
Топологія місток H
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat