LM5101BMA/NOPB - Драйвери MOSFET/IGBT

LM5101BMA/NOPB
Опис

IC: driver; місток H; high-/low-side,контролер затворів MOSFET

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Робоча температура -40...125°C
Корпус SO8
Тип інтегральної мікросхеми driver
Монтаж SMD
Захист мінімальна напруга UVP
Вихідний струм -2...2А
Час спадання імпульсу 430нс
Час наростання імпульсу 570нс
Кількість каналів 2
Напруга живлення 9...14В DC
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Топологія місток H
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat