LM27222M/NOPB - Драйвери MOSFET/IGBT

LM27222M/NOPB
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Робоча температура -40...125°C
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Монтаж SMD
Вихідний струм -4,5...3А
Час спадання імпульсу 14нс
Час наростання імпульсу 17нс
Кількість каналів 2
Напруга живлення 4...6,85В DC
клас напруги 30В
Топологія півмісток MOSFET
Вид упаковки туба
Корпус SO8
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat