LM25101AMX/NOPB - Драйвери MOSFET/IGBT

LM25101AMX/NOPB
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; SO8; -3÷3А; 120÷450мВ; Ch: 2; 9÷14ВDC

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Робоча температура -40...125°C
Вихідний струм -3...3А
Час наростання імпульсу 430нс
Час спадання імпульсу 260нс
Вихідна напруга 120...450мВ
Напруга живлення 9...14В DC
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус SO8
Тип інтегральної мікросхеми driver
Кількість каналів 2
Властивості інтегральних мікросхем integrated bootstrap functionality
UVLO (UnderVoltage LockOut)
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Монтаж SMD
Топологія півмісток MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat