LM25101AMX/NOPB - Драйвери MOSFET/IGBT

LM25101AMX/NOPB
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; SO8; -3÷3А; 120÷450мВ; Ch: 2; 9÷14ВDC

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія півмісток MOSFET
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Корпус SO8
Вихідний струм -3...3А
Вихідна напруга 120...450мВ
Кількість каналів 2
Напруга живлення 9...14В DC
Властивості інтегральних мікросхем integrated bootstrap functionality
UVLO (UnderVoltage LockOut)
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Час наростання імпульсу 430нс
Час спадання імпульсу 260нс
Вид упаковки cтрічка
ролик
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat