LM2105DR - Драйвери MOSFET/IGBT

LM2105DR
Опис

IC: driver; buck,півмісток MOSFET; SO8; 250÷800мВ; Uвх: 0÷18,3В

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Монтаж SMD
Корпус SO8
Робоча температура -40...125°C
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Напруга живлення 5...18В
Вхідна напруга 0...18,3В
Час спадання імпульсу 115нс
Час наростання імпульсу 115нс
Вихідна напруга 250...800мВ
Топологія buck
півмісток MOSFET
Властивості інтегральних мікросхем integrated bootstrap functionality
UVLO (UnderVoltage LockOut)
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat