LM2105DR - Драйвери MOSFET/IGBT

LM2105DR
Опис

IC: driver; buck,півмісток MOSFET; SO8; 250÷800мВ; Uвх: 0÷18,3В

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія buck
півмісток MOSFET
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Корпус SO8
Вихідна напруга 250...800мВ
Властивості інтегральних мікросхем integrated bootstrap functionality
UVLO (UnderVoltage LockOut)
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Час наростання імпульсу 115нс
Час спадання імпульсу 115нс
Вхідна напруга 0...18,3В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Напруга живлення 5...18В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat