L6491D - Драйвери MOSFET/IGBT

L6491D
Опис

IC: driver; місток H; high-/low-side,контролер затворів; SO14

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Напруга живлення 10...20В
Робоча температура -40...125°C
Монтаж SMD
Топологія місток H
Струм живлення DC 700мкА
Вихідна напруга 580В
Частота 800кГц
Вид упаковки туба
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус SO14
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat