IXTP32P05T - Транзистори з каналом P THT

IXTP32P05T
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -32А; 83Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник IXYS
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія TrenchP™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -50В
Струм стока -32А
Потужність розсіювання 83Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±15В
Опір в стані провідності 39мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 46нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Час готовності 26нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat