IXTP1R6N100D2 - Транзистори з каналом N THT

IXTP1R6N100D2
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO220AB; 11нс

Характеристики
Виробник IXYS
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус TO220AB
Монтаж THT
Вид каналу збіднений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Заряд затвора 645нКл
Час готовності 11нс
Опір в стані провідності 10Ом
Струм стока 1,6А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 1кВ
Потужність розсіювання 100Вт
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat