IXTP18P10T - Транзистори з каналом P THT

IXTP18P10T
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -18А; 83Вт; 62нс

Характеристики
Виробник IXYS
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -18А
Потужність розсіювання 83Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±15В
Опір в стані провідності 0,12Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 39нКл
Час готовності 62нс
Технологія TrenchP™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat