IXFP7N100P - Транзистори з каналом N THT

IXFP7N100P
Опис

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник IXYS
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 1кВ
Струм стока
Потужність розсіювання 300Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 1,9Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Технологія HiPerFET™
Polar™
Заряд затвора 47нКл
Час готовності 300нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat