Додано в корзину
Переглянути корзину
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 360А; SOT227B; пригвинчуваний
| Виробник |
IXYS |
| Тип напівпровідникового модуля |
транзисторний MOSFET |
| Структура напівпровідника |
одиночний транзистор |
| Напруга сток-джерело |
100В |
| Струм стока |
360А |
| Корпус |
SOT227B |
| Електричний монтаж |
пригвинчуваний |
| Поляризація |
польовий |
| Опір в стані провідності |
2,6мОм |
| Струм стоку в імпульсі |
900А |
| Потужність розсіювання |
830Вт |
| Технологія |
GigaMOS™ HiPerFET™ |
| Вид каналу |
збагачений |
| Заряд затвора |
525нКл |
| Час готовності |
130нс |
| Напруга затвор-джерело |
±30В |
| Механічний монтаж |
пригвинчуваний |