Додано в корзину
Переглянути корзину
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
| Виробник |
IXYS |
| Тип напівпровідникового модуля |
транзисторний MOSFET |
| Електричний монтаж |
пригвинчуваний |
| Структура напівпровідника |
одиночний транзистор |
| Механічний монтаж |
пригвинчуваний |
| Вид каналу |
збагачений |
| Поляризація |
польовий |
| Напруга затвор-джерело |
±40В |
| Час готовності |
300нс |
| Заряд затвора |
255нКл |
| Опір в стані провідності |
0,5Ом |
| Струм стока |
23А |
| Струм стоку в імпульсі |
60А |
| Потужність розсіювання |
695Вт |
| Напруга сток-джерело |
1,2кВ |
| Технологія |
HiPerFET™ Polar™ |
| Корпус |
SOT227B |