IXFA180N10T2 - Транзистори з каналом N SMD

IXFA180N10T2
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO263; 66нс

Характеристики
Виробник IXYS
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 180А
Потужність розсіювання 480Вт
Корпус TO263
Опір в стані провідності 6мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Час готовності 66нс
Властивості напівпровідникових елементів thrench gate power mosfet
Заряд затвора 185нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat