IXDN602SIA - Драйвери MOSFET/IGBT

IXDN602SIA
Опис

IC: driver; low-side,контролер затворів; SO8; -2÷2А; Ch: 2; 4,5÷35В

Характеристики
Виробник IXYS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Монтаж SMD
Корпус SO8
Робоча температура -40...125°C
Вид упаковки туба
Вид об'єднаної схеми low-side
контролер затворів
Вихідний струм -2...2А
Напруга живлення 4,5...35В
Час ввімкнення 93нс
Час вимкнення 93нс
Вид виходу що не інвертує
Кількість каналів 2
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat