IXDI602SIA - Драйвери MOSFET/IGBT

IXDI602SIA
Опис

IC: driver; low-side,контролер затворів; SO8; -2÷2А; Ch: 2; 4,5÷35В

Характеристики
Виробник IXYS
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Вихідний струм -2...2А
Час ввімкнення 93нс
Час вимкнення 93нс
Напруга живлення 4,5...35В
Вид упаковки туба
Корпус SO8
Тип інтегральної мікросхеми driver
Кількість каналів 2
Вид об'єднаної схеми low-side
контролер затворів
Вид виходу що інвертує
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat