ISL6700IBZ - Драйвери MOSFET/IGBT

ISL6700IBZ
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник RENESAS (INTERSIL)
Вид упаковки туба
Корпус SO8
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія півмісток MOSFET
Кількість каналів 2
Монтаж SMD
Захист мінімальна напруга UVP
Робоча температура -40...125°C
Вихідний струм -1,3...1,4А
Час спадання імпульсу 25нс
Час наростання імпульсу 25нс
Напруга живлення 9...15В DC
клас напруги 80В
Властивості інтегральних мікросхем integrated bootstrap functionality
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat