ISL6700IBZ - Драйвери MOSFET/IGBT

ISL6700IBZ
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник RENESAS (INTERSIL)
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія півмісток MOSFET
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус SO8
Вихідний струм -1,3...1,4А
Кількість каналів 2
Напруга живлення 9...15В DC
Властивості інтегральних мікросхем integrated bootstrap functionality
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Час наростання імпульсу 25нс
Час спадання імпульсу 25нс
Вид упаковки туба
клас напруги 80В
Захист мінімальна напруга UVP
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat