IRS2101SPBF - Драйвери MOSFET/IGBT

IRS2101SPBF
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип інтегральної мікросхеми driver
Монтаж SMD
Корпус SO8
Робоча температура -40...125°C
Вид упаковки туба
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Кількість каналів 2
Статус частини Не рекомендується для нових проектів
Топологія півмісток MOSFET
Вихідний струм -600...290мА
Час вимкнення 185нс
Час ввімкнення 230нс
Потужність 625мВт
Напруга живлення 10...20В DC
клас напруги 600В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat