IRLL110TRPBF - Транзистори з каналом N SMD

IRLL110TRPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,93А; 3,1Вт; SOT223

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 0,93А
Потужність розсіювання 3,1Вт
Корпус SOT223
Напруга затвор-джерело ±10В
Опір в стані провідності 760мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 6,1нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat