Додано в корзину
Переглянути корзину
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
| Виробник |
INFINEON TECHNOLOGIES |
| Тип транзистора |
N-MOSFET |
| Технологія |
HEXFET® |
| Поляризація |
польовий |
| Напруга сток-джерело |
55В |
| Струм стока |
4,4А |
| Потужність розсіювання |
2,1Вт |
| Корпус |
SOT223 |
| Напруга затвор-джерело |
±16В |
| Опір в стані провідності |
65мОм |
| Монтаж |
SMD |
| Заряд затвора |
10,4нКл |
| Вид упаковки |
ролик |
| Вид каналу |
збагачений |
| Властивості напівпровідникових елементів |
logic level |