IRFS4010TRLPBF - Транзистори з каналом N SMD

IRFS4010TRLPBF
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 127А
Потужність розсіювання 375Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 4,7мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 143нКл
Вид упаковки ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat