IRFS4010TRLPBF - Транзистори з каналом N SMD

IRFS4010TRLPBF
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж SMD
Технологія HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 143нКл
Опір в стані провідності 4,7мОм
Струм стока 127А
Потужність розсіювання 375Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 100В
Вид упаковки ролик
Корпус D2PAK
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat