IRFP260NPBF - Транзистори з каналом N THT

IRFP260NPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 200В
Струм стока 35А
Потужність розсіювання 300Вт
Корпус TO247AC
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 40мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 234нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat