IRFP150NPBF - Транзистори з каналом N THT

IRFP150NPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 30А
Потужність розсіювання 160Вт
Корпус TO247AC
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 36мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 110нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat