IRFL9110TRPBF - Транзистори з каналом P SMD

IRFL9110TRPBF
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,69А; Idm: -8,8А; 3,1Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -0,69А
Потужність розсіювання 3,1Вт
Корпус SOT223
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,2Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 8,7нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -8,8А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat