IRFI640GPBF - Транзистори з каналом N THT

IRFI640GPBF
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 200В
Струм стока 9,8А
Струм стоку в імпульсі 39А
Потужність розсіювання 40Вт
Корпус TO220FP
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,18Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 70нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat