IRFB52N15DPBF - Транзистори з каналом N THT

IRFB52N15DPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 60А; 320Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 150В
Струм стока 60А
Потужність розсіювання 320Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 32мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 60нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat