IRFB4227PBF - Транзистори з каналом N THT

IRFB4227PBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 65А; 190Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Технологія HEXFET®
Корпус TO220AB
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Заряд затвора 70нКл
Опір в стані провідності 26мОм
Струм стока 65А
Потужність розсіювання 190Вт
Напруга затвор-джерело ±30В
Напруга сток-джерело 200В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat